随着越来越多客户从 NOR Flash 迁移到CS品牌的 SD NAND 存储产品，有工程师会遇到“明明写入成功了，为什么设备突然断电后，数据消失了？”的问题。
这种情况听起来像“异常”，但其实，它是系统层面必然存在的特性。这里我们来解释一下底层原因，从而更容易找到解决方法。
01｜NAND Flash 不是实时写入设备
相比 NOR，NAND Flash 采用完全不同的底层结构：
NAND 的 写入粒度是 Page（页）
NAND 的 擦除粒度是 Block（块）
也就是说：即使只写入 1 个字节，最终也要以整页数据方式写入。
写入过程不是一步完成，而是：
数据进入控制器 → 缓存 → 整理成 Page → 写入 NAND → 更新映射表
这意味着，在数据落盘之前，会存在一段“过渡期”。
如果断电发生在这个阶段，数据就有可能未完成写入——自然也不会被保存。
02｜Flash 管理算法决定写入结果不是瞬间固定
为了延长寿命、减少写扩散、优化访问性能，SD NAND 内部有：
FTL（Flash Translation Layer）
Wear-Leveling（均衡写入）
Garbage Collection（垃圾回收）
ECC/BCH/LDPC 校验机制
这些机制会带来一个事实：写操作并不是同步落盘，而是异步过程。
更重要的是：
有时 NAND 已经写完数据，但映射表还未更新
有些 Page 数据正在被复制或合并
有时系统正在进行垃圾回收（GC）
这些阶段若意外断电，就可能出现：
写入数据丢失
数据结构损坏
文件变成“看得见却打不开”
这不是故障，而是 NAND 的工作方式。
03｜文件系统不会立即写盘，而是“延迟写入”
很多用户以为:只要 APP、系统或驱动 write() 成功，数据就已经写到存储器里。
事实上，大多数文件系统，包括：
FAT32 / exFAT
LittleFS
Linux EXT4 / F2FS
RTOS 上的嵌入式 FS
都采用写入缓存策略（Write-Back Cache），即：数据会先存在系统内存或设备缓存中，而不是立即写入存储芯片。
这是为了：
加快速度
减少 NAND 写入次数
增加寿命
但是，这也带来结果：写入成功 ≠ 数据已安全保存。
04｜为什么用 NOR 时没问题？
很简单：
换句话说：使用 NAND，就意味着系统行为会从“实时写入”，变成“阶段性写入”。这不是优劣差异，而是技术路线的不同。
05｜理解存储介质，才能正确使用它
掉电数据丢失并不是 SD NAND 的“问题”，而是使用 NAND 介质时必须考虑的设计因素。影响因素包括：
写入策略
供电稳定性
文件系统设计
控制器算法
写入数据量大小和写入频率
是否存在频繁随机小写入场景
了解了底层原理，在面对出现问题的场景时，我们和客户也更容易找到解决方案。也欢迎有这种困惑的客户联系我们，我们会结合您的具体应用场景，写入模型给出对应的解决方法。
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审核编辑 黄宇